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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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DMG4710SSS-13 |
Diodes Inc. |
8-SO |
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MOSFET MOSFET N-CHANNEL |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：... |
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DMG4712SSS-13 |
Diodes Inc. |
8-SO |
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MOSFET MOSFET N-CHANNEL |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：11.2 A，电阻汲极/源... |
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DMG4800LFG-7 |
Diodes Inc. |
8-PowerUDFN |
3,050 |
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：7.44 A，... |
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DMG4800LK3-13 |
Diodes Inc. |
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：10 A，电阻... |
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DMG4800LSD-13 |
Diodes Inc. |
8-SO |
27,940 |
MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... |
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DMG5802LFX-7 |
Diodes Inc. |
W-DFN5020-6 |
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MOSFET Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DMG6402LDM-7 |
Diodes Inc. |
SOT-23-6 |
8,406 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26 |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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DMG6601LVT-7 |
Diodes Inc. |
TSOT-26 |
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MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, - 30 V，漏极连续电流：3.8 A... |
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DMG6602SVT-7 |
Diodes Inc. |
TSOT-26 |
1,194 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击... |
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DMG6898LSD-13 |
Diodes Inc. |
8-SO |
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MOSFET MOSFET N-CHAN |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：9.5 A，电阻汲极/源极 RDS（导... |
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DMG6968LSD-13 |
Diodes Inc. |
- |
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MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DMG6968U-7 |
Diodes Inc. |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
818,521 |
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... |
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DMG6968UDM-7 |
Diodes Inc. |
SOT-26 |
52,042 |
MOSFET DUAL N-CHANNEL |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... |
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DMG6968UTS-13 |
Diodes Inc. |
8-TSSOP |
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MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 30A IDM |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... |
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DMG7401SFG-13 |
Diodes Inc. |
8-PowerVDFN |
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MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DMG7401SFG-7 |
Diodes Inc. |
PowerDI3333-8 |
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MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DMG7408SFG-7 |
Diodes Inc. |
8-PowerVDFN |
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MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DMG7430LFG-7 |
Diodes Inc. |
8-PowerVDFN |
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MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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DMG7702SFG-13 |
Diodes Inc. |
PowerDI3333-8 |
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MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 12A - 9.5A |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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DMG7702SFG-7 |
Diodes Inc. |
PowerDI3333-8 |
281 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8,2K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
