| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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BS870-7-F |
Diodes Inc. |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
26,514 |
MOSFET 60V 310mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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BSS123-7 |
Diodes Inc. |
SOT-23-3 |
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MOSFET 100V 360mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... |
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BSS123-7-F |
Diodes Inc. |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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MOSFET 100V 360mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... |
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BSS123W-7 |
Diodes Inc. |
SOT-323 |
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MOSFET 100V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... |
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BSS123W-7-F |
Diodes Inc. |
SC-70，SOT-323 |
637,200 |
MOSFET 100V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... |
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BSS127S-7 |
Diodes Inc. |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
283,663 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：70 mA... |
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BSS127SSN-7 |
Diodes Inc. |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
1,988 |
MOSFET BSS Family,SC59 Family,SC59,3K |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 2... |
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BSS138-7 |
Diodes Inc. |
SOT-23-3 |
|
MOSFET 60V 360mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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BSS138DW-7 |
Diodes Inc. |
SOT-363 |
|
MOSFET 50V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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BSS138DW-7-F |
Diodes Inc. |
SOT-363 |
22,486 |
MOSFET 50V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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BSS138W-7 |
Diodes Inc. |
SC-70，SOT-323 |
|
MOSFET 50V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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BSS138W-7-F |
Diodes Inc. |
SC-70，SOT-323 |
355,083 |
MOSFET 50V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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BSS8402DW-7 |
Diodes Inc. |
SOT-363 |
|
MOSFET 60 / -50V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V, -50 V，闸... |
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BSS8402DW-7-F |
Diodes Inc. |
SOT-363 |
|
MOSFET 60 / -50V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V, - 50 V，... |
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BSS84-7 |
Diodes Inc. |
SOT-23-3 |
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MOSFET -50V 250mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，闸/源击穿电压：+/- ... |
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BSS84-7-F |
Diodes Inc. |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
|
MOSFET -50V 250mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，闸/源击穿电压：+/- ... |
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BSS84DW-7 |
Diodes Inc. |
SOT-363 |
|
MOSFET -50V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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BSS84DW-7-F |
Diodes Inc. |
SOT-363 |
2 |
MOSFET -50V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 75 V，闸/源击穿电压：+/- ... |
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BSS84V-7 |
Diodes Inc. |
SOT-563 |
980 |
MOSFET Dual P-Channel |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 15... |
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BSS84W-7 |
Diodes Inc. |
SC-70，SOT-323 |
|
MOSFET -50V 200mW |
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| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
