Diodes Inc.
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ZVP0545GTC | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-Chnl 450V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 450 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZVP2106GTC | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-Chnl 60V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZVP2110ASTZ | Diodes Inc. | E-Line（TO-92 兼容） | MOSFET P-Chnl 100V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZVP2110GTC | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-Chnl 100V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZVP2120ASTZ | Diodes Inc. | TO-92 | MOSFET P-Chnl 200V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZVP2120GTC | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-Chnl 200V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZVP4424ASTZ | Diodes Inc. | E-Line（TO-92 兼容） | MOSFET P-Chnl 240V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 240 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZVP4424GTC | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-Chnl 240V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 240 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZVP4525GTC | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-Chnl 250V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 285 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZXMS6004DT8TA | Diodes Inc. | SOT-223-8 | 31,946 | MOSFET 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.2A 210mJ | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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ZXMS6006DT8TA | Diodes Inc. | SOT-223-8 | MOSFET 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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ZXM61N02FTC | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V N Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXM62N02E6TA | Diodes Inc. | SOT-23-6 | MOSFET 20V N-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXM62P03E6TC | Diodes Inc. | SOT-23-6 | MOSFET 30V P Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM64N035GTA | Diodes Inc. | SOT-223-3 | MOSFET 35V N-Chnl | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZXM64P035GTA | Diodes Inc. | SOT-223-3 | MOSFET 35V P-Chnl | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 35 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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ZXMC3AM832TA | Diodes Inc. | 8-MLP（3x2） | MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸... | ||||||
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ZXMD63P03XTA | Diodes Inc. | 8-MSOP | MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXMD65P03N8TA | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET Dl 30V P-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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ZXMHN6A07T8TA | Diodes Inc. | SM8 | MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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