Diodes Inc.
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMN3730UFB4-7 | Diodes Inc. | 3-XFDFN | MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：0.73 A，... | ||||||
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DMN4015LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN4025LSD-13 | Diodes Inc. | - | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN4030LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN4031SSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN4036LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 74,750 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN4468LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN4800LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 80 | MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... | ||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN5010VAK-7 | Diodes Inc. | SOT-563 | MOSFET Dual N-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN55D0UT-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | 5,987 | MOSFET .2W 50V .16A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN5L06-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET N-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN5L06DMK-7 | Diodes Inc. | SOT-26 | MOSFET Dual N-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN5L06DW-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | MOSFET Dual N-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN5L06DWK-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | MOSFET Dual N-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN5L06K-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 323 | MOSFET N-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN5L06T-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | MOSFET N-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN5L06TK-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | MOSFET .15W 50V .28A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN5L06V-7 | Diodes Inc. | SOT-563 | MOSFET Dual N-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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