Diodes Inc.
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMN2075U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 106,553 | MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2075UDW-7 | Diodes Inc. | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2100UDM-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 | 1,890 | MOSFET 900mW 20Vdss | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2104L-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET SINGLE N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN2112SN-7 | Diodes Inc. | SC-59-3 | 4 | MOSFET 20V 1.2A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2114SN-7 | Diodes Inc. | SC-59-3 | MOSFET 20V 1.2A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN2170U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 600mW 20Vdss | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN21D2UFB-7B | Diodes Inc. | 3-UFDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN2215UDM-7 | Diodes Inc. | SOT-26 | 11,689 | MOSFET 650mW 20V | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN2230U-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET 600mW 20Vdss | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN2300U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2300UFB-7B | Diodes Inc. | 3-UFDFN | MOSFET MOSFET BVDSS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN2300UFD-7 | Diodes Inc. | X1-DFN1212-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2400UFB4-7 | Diodes Inc. | 3-XFDFN | 138,264 | MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN2400UFB-7 | Diodes Inc. | 3-UFDFN | 1,178,671 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN2400UFD-7 | Diodes Inc. | 3-UDFN | 9,719 | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：0.9 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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DMN2400UV-7 | Diodes Inc. | SOT-563 | 95,451 | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：1.... | ||||||
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DMN2500UFB4-7 | Diodes Inc. | X2-DFN1006-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 2-DFN1006-3 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN2501UFB4-7 | Diodes Inc. | 3-XFDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN2600UFB-7 | Diodes Inc. | 3-UFDFN | MOSFET N-Ch Dual MOSFET 25V VDSS 8V VGSS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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