Diodes Inc.
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN2004VK-7 | Diodes Inc. | SOT-563 | MOSFET 20V 540mA | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
|
DMN2004WK-7 | Diodes Inc. | SC-70，SOT-323 | 406,697 | MOSFET N-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
|
DMN2005DLP4K-7 | Diodes Inc. | X2-DFN1310-6（B 类） | MOSFET N-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10... | ||||||
|
DMN2005K-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 917,033 | MOSFET N-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10... | ||||||
|
DMN2005LP4K-7 | Diodes Inc. | 3-XFDFN | MOSFET 30V 300mA | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10... | ||||||
|
|
DMN2005LPK-7 | Diodes Inc. | 3-UFDFN | 96,869 | MOSFET 20V 200mA | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10... | ||||||
|
DMN2009LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
|
DMN2013UFDE-7 | Diodes Inc. | 6-PowerUDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
DMN2015UFDE-7 | Diodes Inc. | 6-PowerUDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
DMN2016LFG-7 | Diodes Inc. | U-DFN3030-8 | 9,000 | MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
DMN2016UTS-13 | Diodes Inc. | 8-TSSOP | MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
|
|
DMN2019UTS-13 | Diodes Inc. | 8-TSSOP | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
DMN2020LSN-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 118,920 | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：6.9 A，... | ||||||
|
DMN2023LSD-13 | Diodes Inc. | MOSFET NMOS-DUAL | |||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
|
DMN2027LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
DMN2040LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SOP | MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
|
|
DMN2040LTS-13 | Diodes Inc. | 8-TSSOP | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：6.7 A，电... | ||||||
|
DMN2041L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 235,472 | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：6.4 A，... | ||||||
|
|
DMN2050L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 1.4W 20V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
|
DMN2065UW-7 | Diodes Inc. | SOT-323 | 3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
11/24 首页 上页 [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] 下页 尾页
