Diodes Inc.
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMP3130L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2,314 | MOSFET 30V 3.5A P-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP3160L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1,136 | MOSFET P-Channel 1.08W | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMP31D0UFB4-7B | Diodes Inc. | 3-XFDFN | 91,741 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP4015SK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 TO252,2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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DMP4015SPS-13 | Diodes Inc. | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 DI5060-8 T&R 2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP4015SSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 13,619 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP4025LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -8.6A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，漏极连续电流：- 8.6 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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DMP4025LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -7.6A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，漏极连续电流：- 7.6 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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DMP4047LFDE-7 | Diodes Inc. | 6-PowerUDFN | 50,267 | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 U-DFN2020-6 T&R 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP4051LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V P-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，漏极连续电流：- 8.4... | ||||||
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DMP57D5UFB-7 | Diodes Inc. | X1-DFN1006-3 | MOSFET PMOS-SINGLE | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMP57D5UV-7 | Diodes Inc. | SOT-563 | MOSFET 50V PMOS-DUAL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMP58D0LFB-7 | Diodes Inc. | 3-UFDFN | 33,189 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP58D0SV-7 | Diodes Inc. | SOT-563 | MOSFET PMOS-Dual | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN100-7-F | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 241 | MOSFET N-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN1019UFDE-7 | Diodes Inc. | U-DFN2020-6（E 类） | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN2004DMK-7 | Diodes Inc. | SOT-26 | 228,671 | MOSFET Dual N-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2004DWK-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 101,303 | MOSFET Dual N-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2004K-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET 20V 540mA | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2004TK-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | 217,765 | MOSFET 20V N-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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