Diodes Inc. / Zetex
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ZXMN10A09KTC | Diodes Inc. / Zetex | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 1,517 | MOSFET MOSFET N-CH 100V | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/... | ||||||
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ZXMN10A11GTA | Diodes Inc. / Zetex | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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ZXMN10A25GTA | Diodes Inc. / Zetex | TO-261-4，TO-261AA | 959 | MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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ZXMN10B08E6TA | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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ZXMN10B08E6TC | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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ZXMN15A27KTC | Diodes Inc. / Zetex | TO-252-3 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，漏极连续电流：2.6 A，... | ||||||
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ZXMN20B28KTC | Diodes Inc. / Zetex | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，漏极连续电流：2.3 A，... | ||||||
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ZXMN2A01E6TA | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | 2,725 | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZXMN2A01E6TC | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | MOSFET 20V N Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN2A01FTA | Diodes Inc. / Zetex | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 73,410 | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN2A01FTC | Diodes Inc. / Zetex | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V N Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN2A02N8TA | Diodes Inc. / Zetex | 8-SO | MOSFET 20V N Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN2A02X8TC | Diodes Inc. / Zetex | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET 20V N Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXMN2A03E6TA | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | 4,981 | MOSFET N Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN2A03E6TC | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | MOSFET 20V N Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN2A04DN8TA | Diodes Inc. / Zetex | 8-SO | 674 | MOSFET Dl 20V N-Chnl UMOS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN2A04DN8TC | Diodes Inc. / Zetex | 8-SO | MOSFET Dl 20V N Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN2A14FTA | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-3 | MOSFET N Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN2AMCTA | Diodes Inc. / Zetex | DFN3020B-8 | 4 | MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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ZXMN2B01FTA | Diodes Inc. / Zetex | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 84,149 | MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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