Diodes Inc. / Zetex
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ZXM61P03FTC | Diodes Inc. / Zetex | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 30V P Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM62N02E6TC | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | MOSFET 20V N Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：3.2 A，... | ||||||
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ZXM62N03E6TA | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | MOSFET 30V N-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZXM62N03E6TC | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | MOSFET 30V N Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：3.2 A，... | ||||||
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ZXM62N03GTA | Diodes Inc. / Zetex | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 30V N-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXM62P02E6TA | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | 948 | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM62P02E6TC | Diodes Inc. / Zetex | SOT-23-6 | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM62P03E6TA | Diodes Inc. / Zetex | SOT-26 | MOSFET 30V P-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM62P03GTA | Diodes Inc. / Zetex | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 30V P-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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ZXM64N02XTA | Diodes Inc. / Zetex | 8-MSOP | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXM64N02XTC | Diodes Inc. / Zetex | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXM64N035L3 | Diodes Inc. / Zetex | TO-220 | MOSFET 35V N-Chnl | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZXM64N03XTA | Diodes Inc. / Zetex | 8-MSOP | MOSFET 30V N Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXM64N03XTC | Diodes Inc. / Zetex | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET 30V N Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXM64P02XTA | Diodes Inc. / Zetex | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 11,770 | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM64P02XTC | Diodes Inc. / Zetex | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM64P03XTA | Diodes Inc. / Zetex | 8-MSOP | MOSFET 30V P Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM64P03XTC | Diodes Inc. / Zetex | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET 30V P Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM66P02N8TA | Diodes Inc. / Zetex | 8-SO | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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ZXM66P02N8TC | Diodes Inc. / Zetex | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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