| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
|
MIO1200-33E11 |
Ixys |
E11 |
|
IGBT 模块 1200 Amps 3300V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... |
|
|
MIO1500-25E10 |
Ixys |
E10 |
|
IGBT 模块 1500 Amps 2500V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... |
|
|
MIO1800-17E10 |
Ixys |
E10 |
|
IGBT 模块 1800 Amps 1700V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... |
|
|
MIO2400-17E10 |
Ixys |
E10 |
|
IGBT 模块 2400 Amps 1700V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... |
|
|
MIO600-65E11 |
Ixys |
E11 |
|
IGBT 模块 600 Amps 6500V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... |
|
|
MITA30WB600TMH |
Ixys |
MiniPack2 |
|
IGBT 模块 CBI IGBT MODULES IN MINIPACK 2 |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，封装形式：MiniPack 2，包装形式：Box，安装风格：SMD/SMT，工厂... |
|
|
MDI100-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
|
IGBT 模块 100 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
|
|
MDI145-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
|
IGBT 模块 145 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
|
|
MDI150-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
|
IGBT 模块 150 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
|
|
MDI200-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
|
IGBT 模块 200 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
|
|
MDI300-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
|
IGBT 模块 300 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
|
|
MDI400-12E4 |
Ixys |
Y3-Li |
|
IGBT 模块 400 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
|
|
MDI550-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
|
IGBT 模块 550 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
|
|
MDI75-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
|
IGBT 模块 75 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
|
|
MKI100-12E8 |
Ixys |
E3 |
|
IGBT 模块 IGBT (NPT3) |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... |
|
|
MKI100-12F8 |
Ixys |
E3 |
5 |
IGBT 模块 100 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：5，... |
|
|
MKI50-06A7 |
Ixys |
E2 |
|
IGBT 模块 50 Amps 600V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... |
|
|
MKI50-12F7 |
Ixys |
E2 |
6 |
IGBT 模块 50 Amps 1200V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：6，... |
|
|
MKI75-06A7 |
Ixys |
E2 |
|
IGBT 模块 75 Amps 600V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... |
|
|
MKI75-06A7T |
Ixys |
E2 |
|
IGBT 模块 75 Amps 600V |
|
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... |
