| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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VUB50-12PO1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模块 50 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VUB50-16PO1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模块 50 Amps 1600V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VUB160-12NO2 |
Ixys |
V2-PAK |
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IGBT 模块 160 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VUB120-12NO2 |
Ixys |
V2-PAK |
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IGBT 模块 120 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VUB120-16NO2 |
Ixys |
V2-PAK |
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IGBT 模块 120 Amps 1600V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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VII130-06P1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模块 130 Amps 600V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... |
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VKI50-06P1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模块 50 Amps 600V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... |
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VKI50-12P1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模块 50 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... |
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VKI75-06P1 |
Ixys |
ECO-PAC2 |
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IGBT 模块 75 Amps 600V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... |
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MID100-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
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IGBT 模块 100 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID145-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
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IGBT 模块 145 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID150-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模块 150 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID200-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
2 |
IGBT 模块 200 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID300-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模块 300 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID400-12E4 |
Ixys |
Y3-Li |
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IGBT 模块 400 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID400-12E4T |
Ixys |
Y3-Li |
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IGBT 模块 400 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID550-12A4 |
Ixys |
Y3-DCB |
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IGBT 模块 550 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MID75-12A3 |
Ixys |
Y4-M5 |
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IGBT 模块 75 Amps 1200V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... |
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MIO1200-25E10 |
Ixys |
E10 |
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IGBT 模块 1200 Amps 2500V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... |
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MIO1200-33E10 |
Ixys |
E10 |
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IGBT 模块 1200 Amps 3300V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... |
