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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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ST 288 H |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，包装形式：Reel，零件号别名：ST288HXT，... |
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BFY193SAMNZ |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
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BFR 720L3RH E6327 |
Infineon Technologies |
TSLP-3-9 |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，晶体管极性：NPN，最大工作频率：45 GHz，集电极—发射极最大电压 VCEO：4 V，发射极 - ... |
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BFR 92P E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
8583 |
射频双极小信号晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：5000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 92W E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT323 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：5000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 92W H6327 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR92，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR92WH... |
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BFR 93A E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V，发射... |
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BFR 93AW E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT323 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V，发射... |
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BFR 93AW H6327 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR93，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR93AW... |
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BFR 949L3 E6327 |
Infineon Technologies |
PG-TSLP-3-1 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 10V 50mA |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：9000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 106 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，功率耗散：700 mW，最大工作温度：+ 150... |
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BFR 181 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
3552 |
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，功率耗散：175 mW，最大工作温度：+ 150... |
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BFR 181 E6780 |
Infineon Technologies |
PG-SOT23 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，功率耗散：175 mW，最大工作温度：+ 150... |
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BFR 181W E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT323 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，功率耗散：175 mW，最大工作温度：+ 150... |
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BFR 181W H6327 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR181，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR181... |
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BFR 182 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
6830 |
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 182W E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT323 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 182W H6327 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR182，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR182... |
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BFR 183 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
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射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 183W E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT323 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最... |
