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California Eastern Laboratories (CEL) is the exclusive sales and marketing partner in North America and Latin America for products made by the Compound Semiconductor Devices Business Division (CSDBD) of Renesas Electronics Corporation, formerly NEC Electronics Corporation. These products include RF components and RFICs, optocouplers, solid state relays, and lasers and detectors for fiber optics. CEL maintains extensive inventories, sets pricing, and provides engineering and applications support at its design center in Santa Clara, CA. CEL also develops its MeshConnect™ line of IEEE 802.15.4/ZigBee radio modules and transceiver ICs and is a member of the ZigBee Alliance (www.zigbee.org)
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NE68118-T1-A CEL SOT-343 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:150 mW,封...
点击查看NE68119-A参考图片 NE68119-A CEL SOT-523 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:3 GHz,集电极—发射极最大电压 VCEO...
点击查看NE68119-T1-A参考图片 NE68119-T1-A CEL SOT-523 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:0.1 W,包装...
NE68130 CEL SOT-323 射频双极小信号晶体管 USE 551-NE68130-A
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:150 mW,封装形式:SOT-323,安装风格...
点击查看NE68130-A参考图片 NE68130-A CEL SOT-323 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V,发射极 - 基...
点击查看NE68130-T1-A参考图片 NE68130-T1-A CEL SOT-323 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:150 mW,封...
点击查看NE68133-A参考图片 NE68133-A CEL SOT-23-3 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V,发射极 - 基...
点击查看NE68133-T1B-A参考图片 NE68133-T1B-A CEL SOT-23-3 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:0.2 W,封装...
点击查看NE68133-T1B-R33-A参考图片 NE68133-T1B-R33-A CEL SOT-23-3 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Tape,...
NE68133-T1B-R34-A CEL 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Tape,...
点击查看NE68133-T1B-R35-A参考图片 NE68133-T1B-R35-A CEL SOT-23-3 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Tape,...
点击查看NE68139-A参考图片 NE68139-A CEL SOT-143 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V,发射极 - 基...
NE68139R-A CEL SOT-143R 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:0.2 W,封装形式:SOT-143R,安装风格...
点击查看NE68139R-T1-A参考图片 NE68139R-T1-A CEL SOT-143R 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:0.2 W,封装形式:SOT-143R,包装形式...
点击查看NE68139-T1-A参考图片 NE68139-T1-A CEL SOT-143 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:0.2 W,封装...
NE681M03-A CEL M03 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:125 mW,封...
NE681M03-T1-A CEL M03 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:125 mW,封...
NE681M13-A CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo Noise Hi Gain
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V,集电极连续电流...
NE681M13-T3 CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo Noise Hi Gain
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:140 mW,封装形式:M13,包装形式:Ree...
NE681M13-T3-A CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo Noise Hi Gain
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.065 A,功率耗散:140 mW,封...

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