Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGH32N90B2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 32 Amps 900V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH34N60B2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 34 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH35N120B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 3.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGH36N60A3D4 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 36 Amps 600V 2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH36N60B3C1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXDA20N120AS | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 20 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2.8 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IXDA20N120AS-TUBE | Ixys | IGBT 晶体管 20 Amps 1200V | |||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Box，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGH30N60C3C1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGH31N60 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH31N60D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH36N60B3D4 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 200 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH38N60 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 IGBT 600V TO-247AD | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH39N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH39N60BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH40N120A2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 SGL IGBT 1200V, 80A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGH40N120B2D1 | Ixys | TO-247AD | 306 | IGBT 晶体管 IGBT, Diode 1200V, 75A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGH40N120C3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGH40N120C3D1 | Ixys | TO-247AD | 1 | IGBT 晶体管 75Amps 1200V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXGH40N60A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH48N60B3C1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 48A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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