Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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VUB116-16NO1 | Ixys | E2 | IGBT 晶体管 116 Amps 1600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 125 C... | ||||||
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VUB145-16NO1 | Ixys | E2 | IGBT 晶体管 145 Amps 1600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 125 C... | ||||||
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FID35-06C | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 35 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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FID36-06D | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 36 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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FID60-06D | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 60 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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FII24N17AH1 | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150... | ||||||
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FII24N17AH1S | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Box，工厂包装数量：25，... | ||||||
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FII30-06D | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 30 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150 ... | ||||||
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FII30-12E | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150... | ||||||
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FII50-12E | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 50 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150... | ||||||
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FIO50-12BD | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 50 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGH40N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGH40N60B2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，... | ||||||
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IXGH40N60B2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH40N60C | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH40N60C2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，... | ||||||
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IXGH40N60C2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，... | ||||||
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IXGH41N60 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH42N30C3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 42 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH45N120 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75 Amps 1200V 2.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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