Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGH20N60A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 20 Amps 600V | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
IXGH10N170 | Ixys | TO-247AD | 3 | IGBT 晶体管 20 Amps 1700 V 4 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C... | ||||||
IXGH10N170A | Ixys | TO-247AD | 27 | IGBT 晶体管 20 Amps 1700 V 7 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
IXGH10N300 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 Very High Voltage NPT IGBT; 3000V VCES | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,... | ||||||
IXGH10N60AU1 | Ixys | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | ||||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... | ||||||
IXGH120N30B3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 120 Amps 300V | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
IXGH120N30C3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 120 Amps 300V | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
IXGH12N100 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24Amps 1000V | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
IXGH240N30PB | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 240 Amps 300V | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
IXGH24N120C3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 48 Amps 1200V | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:3.6 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
IXGH24N120C3H1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | |||
参数:制造商:IXYS,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... | ||||||
IXGH24N120IH | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 1200V | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... | ||||||
IXGH24N170 | Ixys | TO-247AD | 20 | IGBT 晶体管 50 Amps 1700V 3.3 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C... | ||||||
IXGH24N170A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 1200 V 5 V Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C... | ||||||
IXGH24N170AH1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 High Voltage IGBT w/ Diode | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,封装形式:TO-247,包装形式:Tube,安装风格:Through Hole,工厂包装数量:30,... | ||||||
IXGH24N60A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.3 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... | ||||||
IXGH24N60AU1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.7 V,栅极/发射极最大电压:30 ... | ||||||
IXGH24N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 HIPERFAST IGBT 600V, 48A | |||
参数:制造商:IXYS,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20... | ||||||
IXGH24N60BU1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.5 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
IXGH24N60C | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.3 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... |
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