Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SKW15N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V... | ||||||
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SKW15N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 189 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 15A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKW20N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKW20N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKW25N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SKW25N120E8161 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SKW30N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKW30N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：... | ||||||
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FF200R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-7 | IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.7... | ||||||
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FF300R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-7 | 12 | IGBT 晶体管 1200V 300A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.7... | ||||||
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FF1200R12KE3 | Infineon Technologies | IHM 130X140-10 | IGBT 晶体管 1200V 1200A IGBT Module | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.7... | ||||||
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FF1200R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130-10 | IGBT 晶体管 1700V 1200A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：2 V... | ||||||
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FF200R33KF2C | Infineon Technologies | IHM 73X140-8 | IGBT 晶体管 3300V 200A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V，集电极—射极饱和电压：3.4... | ||||||
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FD150R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT 1200V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FD300R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-5 | IGBT 晶体管 1200V 300A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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FD400R33KF2C | Infineon Technologies | IHM 130X140-7 | IGBT 晶体管 3300V 400A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 V，集电极—射极饱和电压：3.... | ||||||
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DF300R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-5 | IGBT 晶体管 1200V 300A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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DF200R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-5 | 5 | IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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DD600S17K6C-B2 | Infineon Technologies | IHM 130X140 | IGBT 晶体管 1700V 600A F/DIODE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，封装形式：IHM 130X140，安装风格：Screw，工厂包装数量：2，... | ||||||
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DD401S17K6C-B2 | Infineon Technologies | IHM 73X140 | IGBT 晶体管 1700V 400A F/DIODE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，封装形式：IHM 73X140，安装风格：Screw，工厂包装数量：2，... | ||||||
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