| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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BSM150GAL120DLC |
Infineon Technologies |
IS6a ( 62 mm )-5 |
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IGBT 晶体管 1200V 150A CHOPPER |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... |
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BSM300GA120DN2SE3256 |
Infineon Technologies |
IS6a ( 62 mm ) |
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IGBT 晶体管 1200V 300A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，集电极—射极饱和电压：2.5 V，功率耗散：2500 W，封装形式：IS6a ( 62 mm... |
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BSM75GAR120DN2 |
Infineon Technologies |
IS4 (34 mm )-5 |
5 |
IGBT 晶体管 1200V 100A GAR CH |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... |
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BUP212 |
Infineon Technologies |
TO-220AB-3 |
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IGBT 晶体管 IGBT 2200V, 22A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... |
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BUP212 E3045A |
Infineon Technologies |
TO-220AB-3 |
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IGBT 晶体管 |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度... |
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BUP213 |
Infineon Technologies |
TO-220AB |
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IGBT 晶体管 IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... |
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BUP213 E3045A |
Infineon Technologies |
TO-220AB-3 |
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IGBT 晶体管 |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度... |
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BUP311D |
Infineon Technologies |
TO-218AB-3 |
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IGBT 晶体管 1200V, 20A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... |
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BUP313 |
Infineon Technologies |
TO-218-3 |
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IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT 1200V 15A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... |
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BUP313D |
Infineon Technologies |
TO-218-3 |
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IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... |
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BUP314 |
Infineon Technologies |
TO-247-3 |
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IGBT 晶体管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... |
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BUP314D |
Infineon Technologies |
TO-218-3 |
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IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... |
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2SC0435T2A0-17 |
Infineon Technologies |
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12 |
IGBT 晶体管 IGBT DRIVER 153.41 |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，... |
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SGB02N120 |
Infineon Technologies |
TO-263-3 |
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IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... |
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SGB02N60 |
Infineon Technologies |
TO-263-3 |
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IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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SGB04N60 |
Infineon Technologies |
TO-263-3 |
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IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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SGB06N60 |
Infineon Technologies |
TO-263-3 |
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IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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SGB07N120 |
Infineon Technologies |
TO-263-3 |
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IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... |
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SGB10N60 |
Infineon Technologies |
TO-263-3 |
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IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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SGB10N60A |
Infineon Technologies |
TO-263-3 |
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IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
