| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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FZ300R12KE3GS |
Infineon Technologies |
IS5a ( 62 mm ) |
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IGBT 晶体管 1200V 300A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，集电极—射极饱和电压：1.7 V，栅极—射极漏泄电流：400 nA，功率耗散：1450 W，... |
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FZ400R12KE3S |
Infineon Technologies |
IS5a ( 62 mm ) |
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IGBT 晶体管 1200V 400A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，封装形式：IS5a ( 62 mm )，安装风格：Screw，工厂包装数量：10，... |
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FZ1200R12KE3 |
Infineon Technologies |
IHM 130X140-7 |
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IGBT 晶体管 1200V 1200A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual Common Emitter Common Gate，集电极—发射极最大电压... |
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FZ1600R12KE3 |
Infineon Technologies |
IHM 130X140-7 |
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IGBT 晶体管 1200V 1600A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual Common Emitter Common Gate，集电极—发射极最大电压... |
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FZ2400R12KE3 |
Infineon Technologies |
IHM 130X140-7 |
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IGBT 晶体管 1200V 2400A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual Common Emitter Common Gate，集电极—发射极最大电压... |
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FZ1200R33KF2C |
Infineon Technologies |
IS5a ( 62 mm )-9 |
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IGBT 晶体管 3300V 1200A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Triple Common Emitter Common Gate，集电极—发射极最大... |
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FZ3600R12KE3 |
Infineon Technologies |
IHM 190X140-9 |
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IGBT 晶体管 1200V 3600A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Triple Common Emitter Common Gate，集电极—发射极最大... |
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FZ600R12KE3S |
Infineon Technologies |
IS5a ( 62 mm ) |
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IGBT 晶体管 1200V 600A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，封装形式：IS5a ( 62 mm )，安装风格：Screw，工厂包装数量：10，... |
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FP25R12KS4C |
Infineon Technologies |
EconoPIM2-24 |
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IGBT 晶体管 1200V 25A PIM |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.2 ... |
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FP15R12KE3G |
Infineon Technologies |
EconoPIM2-24 |
5 |
IGBT 晶体管 1200V 15A PIM |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.7 ... |
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FP15R12KS4C |
Infineon Technologies |
EconoPIM2-24 |
4 |
IGBT 晶体管 1200V 15A PIM |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.2 ... |
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FP40R12KE3G |
Infineon Technologies |
EconoPIM3-24 |
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IGBT 晶体管 1200V 40A PIM |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2.3 ... |
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FP50R12KS4C |
Infineon Technologies |
EconoPIM3-24 |
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IGBT 晶体管 1200V 50A PIM |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.2 ... |
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6SD106EI-17 |
Infineon Technologies |
模块 |
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IGBT 晶体管 1700V 6A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，功率耗散：1 W，... |
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BMS300GA170DN2S |
Infineon Technologies |
IS6a ( 62 mm ) |
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IGBT 晶体管 1700V 300A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，封装形式：IS6a ( 62 mm )，安装风格：Screw，工厂包装数量：10，... |
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BSM100GAR120DN2 |
Infineon Technologies |
IS6a ( 62 mm )-5 |
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IGBT 晶体管 1200V 100A DUAL |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... |
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BSM150GAR120DN2 |
Infineon Technologies |
IS6a ( 62 mm )-5 |
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IGBT 晶体管 1200V 150A DUAL |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... |
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BSM200GA120DN2S |
Infineon Technologies |
IS6a ( 62 mm )-5 |
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IGBT 晶体管 1200V 200A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... |
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BSM300GAR120DLC |
Infineon Technologies |
IS6a ( 62 mm )-5 |
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IGBT 晶体管 1200V 300A DUAL |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... |
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BSM400GA120DN2S |
Infineon Technologies |
IS6a ( 62 mm )-4 |
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IGBT 晶体管 1200V 400A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... |
