| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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RFCS04026000DBTT1 |
Vishay/Electro-Films |
0402（1005 公制） |
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硅电容器 0.6pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：0.6 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
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RFCS04026800CJTT1 |
Vishay/Electro-Films |
0402（1005 公制） |
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硅电容器 6.8pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：6.8 pF，容差：5 %，电压额定值：25 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：-... |
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RFCS04027000DBTT1 |
Vishay/Electro-Films |
0402（1005 公制） |
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硅电容器 0.7pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：0.7 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
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RFCS04028000DBTT1 |
Vishay/Electro-Films |
0402（1005 公制） |
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硅电容器 0.8pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：0.8 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
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RFCS04028200CJTT1 |
Vishay/Electro-Films |
0402（1005 公制） |
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硅电容器 8.2pF 5% High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：8.2 pF，容差：5 %，电压额定值：25 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范围：-... |
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RFCS04029000DBTT1 |
Vishay/Electro-Films |
0402（1005 公制） |
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硅电容器 0.9pF +/-0.1pF High Q, RF |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：硅电容器，RoHS：是，电容：0.9 pF，容差：0.1 pF，电压额定值：50 V，温度系数：30 PPM / C，工作温度范... |
