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IPDiA

IPDiA

IPDiA's primary objective is to focus on two main axes: Integrated Devices for high brightness LEDs and Integrated Passive Devices for new markets such as medical, industrial, aerospace and defense. IPDiA's technological lead in components for lighting, LEDs and integrated passive devices enables the company to capitalize on this know-how and earned IPDiA its position as a major player on the world market.
图片 型号 品牌 封装 数量 描述 PDF资料
935133424610-T3N IPDiA 0402 硅电容器 XtremeTempSiliconCap 0402 100nF BD 11V
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C...
935133425610-T1N IPDiA 0603 硅电容器 XremeTemp SiliconCap 100nF 0603 BV11 NiAu
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ...
935133425610-T3N IPDiA 1206 94 硅电容器 XtremeTempSiliconCap 1206 100nF BD 11V
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C...
点击查看935133426610-T3N参考图片 935133426610-T3N IPDiA 0805 100 硅电容器 XremeTemp SiliconCap 0805 100nF BD 11V
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ...
935133427710-T3N IPDiA 1206 95 硅电容器 XremeTemp SiliconCap 1206 1uF BD 11V
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C，...
935133429733-T1N IPDiA 1812 100 硅电容器 XremeTemp SiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ...
935133429733-T3N IPDiA 1812 硅电容器 XremeTemp SiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ...
点击查看935133723510-T1N参考图片 935133723510-T1N IPDiA 0201 100 硅电容器 XremeTemp SiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250...
935133723510-T3N IPDiA 0201 硅电容器 XremeTemp SiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250...
点击查看935133724547-T1N参考图片 935133724547-T1N IPDiA 0402 100 硅电容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 25...
935133724547-T3N IPDiA 0402 硅电容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 25...
点击查看935142620510-T1O参考图片 935142620510-T1O IPDiA 0303 99 硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C...
点击查看935142620510-T3A参考图片 935142620510-T3A IPDiA 0303 99 硅电容器 WireBoundSiliconCap 0303 10nF BD 50V
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：25 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C...
点击查看935142620510-T3O参考图片 935142620510-T3O IPDiA 0303 硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C...
点击查看935142624522-T3A参考图片 935142624522-T3A IPDiA 0504 99 硅电容器 WireBoundSiliconCap 0504 22nF BD 50V
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：25 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ...
点击查看935144620510-T1O参考图片 935144620510-T1O IPDiA 0303 硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 200...
935144620510-T3O IPDiA 0303 1000 硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 200...
点击查看935145620510-T1O参考图片 935145620510-T1O IPDiA 0303 100 硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：2 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C...
点击查看935145620510-T3O参考图片 935145620510-T3O IPDiA 0303 硅电容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au
参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：50 V，温度系数：2 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C...

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