| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
|
935132427710-T3N |
IPDiA |
1206 |
|
硅电容器 HighTempSiliconCap 1206 1uF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，封装形... |
|
|
935132429733-T1N |
IPDiA |
1812 |
100 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
|
935132429733-T3N |
IPDiA |
1812 |
|
硅电容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
|
|
935132723510-T1N |
IPDiA |
0201 |
190 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C... |
|
|
935132723510-T3N |
IPDiA |
0201 |
|
硅电容器 HighTempSiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C... |
|
|
935132724547-T1N |
IPDiA |
0402 |
100 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 ... |
|
|
935132724547-T3N |
IPDiA |
0402 |
|
硅电容器 HighTempSiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 ... |
|
935133423510-T1N |
IPDiA |
0201 |
100 |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250... |
|
|
935133423510-T3N |
IPDiA |
0201 |
|
硅电容器 XtremeTempSiliconCap 0201 10nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
|
|
935133424310-T1N |
IPDiA |
0402 |
200 |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
|
|
935133424310-T3N |
IPDiA |
0402 |
|
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
|
|
935133424347-T3N |
IPDiA |
0402 |
1000 |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：470 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
|
|
935133424410-T3N |
IPDiA |
0402 |
1000 |
硅电容器 XtremeTempSiliconCap 0402 1nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1000 pF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
|
|
935133424510-T3N |
IPDiA |
0402 |
966 |
硅电容器 XtremeTempSiliconCap 0402 10nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
|
|
935133424522-T1N |
IPDiA |
0402 |
100 |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 25... |
|
|
935133424522-T3N |
IPDiA |
0402 |
|
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 25... |
|
|
935133424533-T3N |
IPDiA |
0402 |
987 |
硅电容器 XtremeTempSiliconCap 0402 33nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.033 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250... |
|
|
935133424547-T1N |
IPDiA |
0402 |
100 |
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 25... |
|
|
935133424547-T3N |
IPDiA |
0402 |
|
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 25... |
|
|
935133424610-T1N |
IPDiA |
0402 |
|
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 100nF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
