| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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935131424347-T3N |
IPDiA |
0402 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：470 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131424410-T3N |
IPDiA |
0402 |
976 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0402 1nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1000 pF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131424510-T3N |
IPDiA |
0402 |
1869 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0402 10nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131424522-T1N |
IPDiA |
0402 |
100 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... |
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935131424522-T3N |
IPDiA |
0402 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... |
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935131424533-T3N |
IPDiA |
0402 |
989 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0402 33nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.033 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... |
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935131424547-T1N |
IPDiA |
0402 |
98 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... |
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935131424547-T3N |
IPDiA |
0402 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... |
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935131424610-T3A |
IPDiA |
0402 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0402 BV11 Al |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131424610-T3N |
IPDiA |
0402 |
1850 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0402 100nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... |
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935131425610-T1N |
IPDiA |
0603 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0603 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131425610-T3N |
IPDiA |
1206 |
995 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 1206 100nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... |
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935131426610-T1N |
IPDiA |
0805 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131426610-T3N |
IPDiA |
0805 |
30 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131427710-T3N |
IPDiA |
1206 |
1927 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 1206 1uF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C，封... |
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935131429733-T1N |
IPDiA |
1812 |
100 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131429733-T3N |
IPDiA |
1812 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131723510-T1N |
IPDiA |
0201 |
100 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... |
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935131723510-T3N |
IPDiA |
0201 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... |
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935131724547-T1N |
IPDiA |
0402 |
80 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... |
