| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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93512442H622-T1A |
IPDiA |
0505 |
100 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 220nF 0505 BV11 Al |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.22 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C... |
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93512442H622-T3A |
IPDiA |
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硅电容器 ETSC Embed'd Wirebnd Temp Silicon Cap |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：935.124.42H.622，... |
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93512442S710-T1A |
IPDiA |
1208 |
95 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 1uF 1208 BV11 Al |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，封装... |
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93512442S710-T3A |
IPDiA |
1208 |
|
硅电容器 LoProfile SiliconCap 1uF 1208 BV11 Al |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，封装... |
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93512442Y733-T1A |
IPDiA |
1616 |
99 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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93512442Y733-T3A |
IPDiA |
1616 |
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硅电容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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93512542F610-T1A |
IPDiA |
0404 |
100 |
硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
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93512542F610-T3A |
IPDiA |
0404 |
90 |
硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：12 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
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93512542H622-T1A |
IPDiA |
0505 |
100 |
硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.22 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250... |
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93512542H622-T3A |
IPDiA |
0505 |
100 |
硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.22 uF，容差：15 %，电压额定值：12 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250... |
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93512542S710-T1A |
IPDiA |
1208 |
75 |
硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C，... |
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93512542S710-T3A |
IPDiA |
1208 |
89 |
硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：12 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C，... |
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93512542Y733-T1A |
IPDiA |
1616 |
100 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
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93512542Y733-T3A |
IPDiA |
1616 |
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硅电容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... |
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935131423510-T1N |
IPDiA |
0201 |
100 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... |
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935131423510-T3N |
IPDiA |
0201 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0201 10nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131424310-T1N |
IPDiA |
0402 |
200 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131424310-T3A |
IPDiA |
0402 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 Al |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131424310-T3N |
IPDiA |
0402 |
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硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
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935131424347-T1N |
IPDiA |
0402 |
100 |
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：470 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
