| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
|
935121423510-T1N |
IPDiA |
0201 |
200 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... |
|
935121423510-T3N |
IPDiA |
0201 |
|
硅电容器 LowProfileSiliconCap 0201 10nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
|
|
935121424310-T3N |
IPDiA |
0402 |
198 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 0402 100pF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
|
|
935121424347-T3N |
IPDiA |
0402 |
200 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 0402 470pF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：470 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
|
|
935121424410-T3N |
IPDiA |
0402 |
145 |
硅电容器 LowProfileSiliconCap 0402 1nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1000 pF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
|
|
935121424510-T3N |
IPDiA |
0402 |
1837 |
硅电容器 LowProfileSiliconCap 0402 10nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
|
|
935121424522-T1N |
IPDiA |
0402 |
100 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... |
|
|
935121424522-T3N |
IPDiA |
0402 |
|
硅电容器 LoProfile SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... |
|
|
935121424533-T3N |
IPDiA |
0402 |
177 |
硅电容器 LowProfileSiliconCap 0402 33nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.033 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... |
|
|
935121424610-T3N |
IPDiA |
0402 |
1757 |
硅电容器 LowProfileSiliconCap 0402 100nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... |
|
|
935121425610-T3N |
IPDiA |
0603 |
975 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 0603 100nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
|
|
935121427710-T3N |
IPDiA |
1206 |
173 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 1206 1uF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C，... |
|
|
93512142F610-T1A |
IPDiA |
0404 |
198 |
硅电容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
|
93512142F610-T3A |
IPDiA |
0404 |
|
硅电容器 EmbeddedSiliconCap 0404 100nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... |
|
|
93512142H622-T1A |
IPDiA |
|
|
硅电容器 Emb'dSiliconCap 0505 220nF BD11V 100umThk |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
|
|
93512142H622-T3A |
IPDiA |
0505 |
200 |
硅电容器 EmbeddedSiliconCap 0505 220nF BD 11V |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.22 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... |
|
|
93512172C510-T1A |
IPDiA |
|
|
硅电容器 Emb'dSiliconCap 0202 10nF BD30V 100um Thk |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
|
|
93512172C510-T3A |
IPDiA |
|
|
硅电容器 Emb'dSiliconCap 0202 10nF BD30V 100um Thk |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
|
|
93512442F610-T1A |
IPDiA |
0404 |
|
硅电容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
|
|
93512442F610-T3A |
IPDiA |
0404 |
|
硅电容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
