| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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GL100MD0MP1 |
Sharp Microelectronics |
2-SMD，无引线 |
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红外发射源 940nm 3mW SMT IRED 1.5Kpcs |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30... |
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GL100MD1MP1 |
Sharp Microelectronics |
2-SMD，无引线 |
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红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 1.5Kpcs |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，辐射强度：0.95 mW/sr，最大工作温度：+ ... |
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GL100MN0MP |
Sharp Microelectronics |
2-SMD，无引线 |
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红外发射源 SMT IRED 10 940nm 3mW 2Kpcs (Side Mt.) |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 10 deg，最大工作温度：+ 8... |
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GL100MN0MP1 |
Sharp Microelectronics |
2-SMD，无引线 |
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红外发射源 SMT IRED +- 10deg 940nm 3mW1.5Kpcs |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，波长：940 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30 C，封装形式... |
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GL100MN0MP1M |
Sharp Microelectronics |
SMD |
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红外发射源 940nm 1-2.5mW SMT IRED 1.5Kpcs |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30... |
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GL100MN1MP |
Sharp Microelectronics |
2-SMD，无引线 |
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红外发射源 SMT IRED 10 940nm 6mW 2Kpcs (Side Mt.) |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 10 deg，最大工作温度：+ 8... |
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GL100MN1MP1 |
Sharp Microelectronics |
2-SMD，无引线 |
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红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 1.5Kpcs |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30... |
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GL100MN3MP |
Sharp Microelectronics |
2-SMD，无引线 |
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红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 2Kpcs |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 9 deg，辐射强度：6 mW/s... |
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GL100MN3MP1 |
Sharp Microelectronics |
2-SMD，无引线 |
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红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 1.5Kpcs |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 9 deg，辐射强度：6 mW/s... |
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GL380 |
Sharp Microelectronics |
T-1 |
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红外发射源 GL380 4.5mW 950 nm |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：11 mW/sr，最大工作温度：+ 85... |
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GL381 |
Sharp Microelectronics |
T-1 |
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红外发射源 GL381 8.5mW 950nm |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：20 mW/sr，最大工作温度：+ 85... |
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GL382 |
Sharp Microelectronics |
T-1 |
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红外发射源 GL382 8.5mW 950nm |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，辐射强度：18 mW/sr，最大工作温度：+ 85... |
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GL390 |
Sharp Microelectronics |
径向 |
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红外发射源 GL390 7mW 950nm |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：13 mW/sr，最大工作温度：+ 85... |
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GL390V |
Sharp Microelectronics |
径向 |
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红外发射源 GL390V 9mW 950nm |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：16 mW/sr，最大工作温度：+ 85... |
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GL4910JE000F |
Sharp Microelectronics |
径向 |
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红外发射源 Side view IRED 850nm |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：850 nm，射束角：+/- 32 deg，最大工作温度：+ 6... |
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GL513F |
Sharp Microelectronics |
TO-18-2 金属罐 |
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红外发射源 IRED 950 nm 2.88mW |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 4... |
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GL514 |
Sharp Microelectronics |
TO-18-2 金属罐 |
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红外发射源 IRED 950 nm 5.35mW |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 4... |
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GL514A |
Sharp Microelectronics |
TO-18-2 金属罐 |
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红外发射源 GL514A 950 nm 2.88mW |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 4... |
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GL527V |
Sharp Microelectronics |
T 1 3/4 |
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红外发射源 Thru hole IRED 5mW 940nm |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，照明颜色：Infrared，安装风格：Throug... |
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GL528 |
Sharp Microelectronics |
T-1 3/4 |
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红外发射源 GL528V |
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| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，封装形式：T-1 3/4，照明颜色：Infrared，工厂包装数量：1... |
