| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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LD 242-2/3 |
OSRAM Opto Semiconductors |
TO-18-2 金属罐 |
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红外发射源 GaAs 950 nm MTL CAN HALF ANGLE +/-40DEG |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，射束角：40 deg，辐射强度：4 mW/sr... |
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LD 261-5/6 |
OSRAM Opto Semiconductors |
2-DIP（0.100"，2.54mm） |
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红外发射源 GaAs SNGL 950nm MINI HALF ANGLE +/-15DEG |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：6.3 mW/sr, 10 mW/s... |
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LD 271 |
OSRAM Opto Semiconductors |
径向 |
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红外发射源 Infrared 950nm HALF ANGLE +/-25DEG |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：120 mW/sr，最大工作温度：+... |
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LD 271 H-Z |
OSRAM Opto Semiconductors |
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红外发射源 Infrared 950nm HALF ANGLE +/-25DEG |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，照明颜色：Infrared，零件号别名：Q62703Q0256，... |
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LD 271 L |
OSRAM Opto Semiconductors |
径向 |
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红外发射源 Infrared 950nm HALF ANGLE +/-25DEG |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：120 mW/sr，最大工作温度：+... |
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LD 271 LH |
OSRAM Opto Semiconductors |
径向 |
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红外发射源 Infrared 950nm HALF ANGLE +/-25DEG |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：-... |
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LD 271-H |
OSRAM Opto Semiconductors |
径向 |
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红外发射源 Infrared 950nm |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：-... |
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LD 274 |
OSRAM Opto Semiconductors |
径向 |
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红外发射源 Infrared 950nm HALF ANGLE +/-10DEG |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：350 mW/sr，最大工作温度：+... |
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LD 274-3 |
OSRAM Opto Semiconductors |
径向 |
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红外发射源 Infrared 950nm HALF ANGLE +/-10DEG |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：800 mW/sr，最大工作温度：+... |
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Q65110A2975 |
OSRAM Opto Semiconductors |
SMT |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：850 nm，辐射强度：90 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40 ... |
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Q68000A7851 |
OSRAM Opto Semiconductors |
Side Looker |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：950 nm，辐射强度：0.4 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40... |
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Q62702P5301 |
OSRAM Opto Semiconductors |
TO-46 |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：950 nm，辐射强度：30 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40 ... |
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Q62703Q1094 |
OSRAM Opto Semiconductors |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：880 nm，辐射强度：600 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40... |
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Q62703Q1547 |
OSRAM Opto Semiconductors |
T-1 3/4 |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：880 nm，辐射强度：340 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40... |
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Q62703Q2174 |
OSRAM Opto Semiconductors |
T-1 |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：880 nm，辐射强度：270 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40... |
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Q62703Q2175 |
OSRAM Opto Semiconductors |
T-1 |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：880 nm，辐射强度：125 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40... |
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Q62703Q4749 |
OSRAM Opto Semiconductors |
TO-18 |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：950 nm，辐射强度：75 mW/sr，最大工作温度：+ 80 C，最小工作温度：- 40 C... |
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Q65110A1569 |
OSRAM Opto Semiconductors |
MIDLED |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：850 nm，辐射强度：40 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40 ... |
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Q65110A1570 |
OSRAM Opto Semiconductors |
MidLED |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：880 nm，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40 C，封装形式：MidLED，... |
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Q65110A1772 |
OSRAM Opto Semiconductors |
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红外发射源 |
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| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：850 nm，辐射强度：700 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40... |
