| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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QPE1259 |
Fairchild Semiconductor |
- |
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红外发射源 DISC BY MOUSER 10/01 |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，照明颜色：Infrared，... |
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QSE214 |
Fairchild Semiconductor |
径向，侧视图 |
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红外发射源 PHOTOTRANSISTOR SIDELOOKER TYPE A |
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| 参数：onsemi|散装|-|停产|30 V|-|100 nA|880nm|50°|100 mW|通孔|侧视图|-40°C ~ 100°C（TA）|径向，侧视图|... |
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QTLP660CIRTR |
Fairchild Semiconductor |
2-SMD，J 形引线 |
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红外发射源 DOME LENS INFRARED EMITTER T-R |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，照明颜色：Infrared，... |
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CQX14 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，照明颜色：Infrared，... |
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CQX15 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2，金属罐 |
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红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... |
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CQX15_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，射束角：5.9 deg，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：-... |
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CQX16 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 1.5mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，照明颜色：Infrared，... |
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F5E1 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2，金属罐 |
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红外发射源 12mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... |
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F5E1_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 12mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，射束角：40 deg，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- ... |
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F5E2 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2，金属罐 |
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红外发射源 9mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... |
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F5E2_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 9mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，射束角：40 deg，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- ... |
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F5E3 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2，金属罐 |
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红外发射源 10.5mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... |
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F5E3_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 10.5mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，射束角：40 deg，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- ... |
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F5F1 |
Fairchild Semiconductor |
径向，侧视图 |
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红外发射源 DISC BY MFG 2/02 |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，辐射强度：0.28 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作... |
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F5G1 |
Fairchild Semiconductor |
径向，侧视图 |
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红外发射源 DISC BY MOUSER 10/01 |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，辐射强度：0.6 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温... |
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F5D1 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 12mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 10，最大工作温度：+ 125 ... |
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F5D1_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 12mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 65 C，封装形式：T... |
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F5D1B |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 Infrared EmittIng alGaas |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- ... |
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F5D2 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 9mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 10，最大工作温度：+ 125 ... |
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F5D2_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 9mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 65 C，封装形式：T... |
