| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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QED223_Q |
Fairchild Semiconductor |
T-1 3/4 |
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红外发射源 25mW/sr 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，辐射强度：25 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度... |
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QED223A4R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
51,435 |
红外发射源 T13-4 ALGAAS LED T&R |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 20，最大工作温度：+ 100 ... |
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QED233 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 10mW/sr 1.5V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 20，辐射强度：50 mW/sr... |
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QED233A4A0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 T-1 3-4 LED ALGAAS |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，包装形式：Ammo，照明颜色：Infrared，安装风格：Throu... |
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QED233A4R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 Infrared EmittIng alGaas |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 20，辐射强度：50 mW/sr... |
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QED233A4R0_F132 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 QED233 FSSP LED Die |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，包装形式：Reel，照明颜色：Infrared，工厂包装数量：120... |
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QED234 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 T-1 3/4 0.13MW IR |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 20，辐射强度：27 mW/sr... |
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QED234A4R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 GaAs Infrared Emitting Diode |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，照明颜色：Infrared，... |
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QED422 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 |
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红外发射源 TO-46 IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 30，辐射强度：40 mW/sr... |
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QED423 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 |
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红外发射源 0.1mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 35，辐射强度：20 mW/sr... |
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QED522 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 |
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红外发射源 0.1mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 15，辐射强度：80 mW/sr... |
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QED523 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 |
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红外发射源 0.2mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 15，辐射强度：40 mW/sr... |
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QED523_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 .2mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：否，波长：880 nm，辐射强度：40 mW/sr，最大工作温度：+ 1... |
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QED633 |
Fairchild Semiconductor |
T-1 3/4 |
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红外发射源 aLGaaS-GaaS LED 55 Deg |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，辐射强度：25 mW/sr，最大工作温度：+ 1... |
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QED634 |
Fairchild Semiconductor |
T-1 3/4 |
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红外发射源 aLGaaS-GaaS LED 56 Deg |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，辐射强度：25 mW/sr，最大工作温度：+ 1... |
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QEE113 |
Fairchild Semiconductor |
径向，侧视图 |
43,241 |
红外发射源 0.015mW 1.5V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 25，辐射强度：12 mW/sr... |
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QEE113_Q |
Fairchild Semiconductor |
Side Looker |
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红外发射源 0.015mW 1.5V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，辐射强度：12 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度... |
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QEE113E3R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，侧视图 |
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红外发射源 infrared Lt Emitting Plastic |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 25，辐射强度：12 mW/sr... |
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QEE122 |
Fairchild Semiconductor |
径向，侧视图 |
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红外发射源 INFRARED DIODE |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 50，最大工作温度：+ 100 ... |
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QEE122_Q |
Fairchild Semiconductor |
Side Looker |
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红外发射源 INFRARED DIODE |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40 C，封装形式：S... |
