| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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QEC122 |
Fairchild Semiconductor |
径向，3mm 直径（T-1） |
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红外发射源 T1 A1Ga AS LED 39mW |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... |
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QEC122C4R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，3mm 直径（T-1） |
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红外发射源 Infrared EmittIng alGaas |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... |
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QEC122C6R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，3mm 直径（T-1） |
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红外发射源 Infrared EmittIng alGaas |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... |
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QEC123 |
Fairchild Semiconductor |
径向，3mm 直径（T-1） |
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红外发射源 T-1 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... |
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QEC123_Q |
Fairchild Semiconductor |
T-1 |
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红外发射源 T-1 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40 C，封装形式：T... |
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QEC313 |
Fairchild Semiconductor |
径向，侧视图 |
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红外发射源 LED.T-1 NARW ANGLE I/R |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，包装形式：Bulk，照明颜色：Infrared，安装风格：Throu... |
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QED121 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 T13-4 ALGAAS LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：过渡期间，波长：880 nm，射束角：+/- 18，最大工作温度：+ 1... |
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QED121_Q |
Fairchild Semiconductor |
T-1 3/4 |
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红外发射源 T13-4 ALGAAS LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，辐射强度：40 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度... |
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QED121A4R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 T13-4 ALGAAS LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，包装形式：Reel，照明颜色：Infrared，工厂包装数量：1200，... |
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QED122 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 T13-4 ALGAAS LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 18，最大工作温度：+ 100 ... |
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QED122_Q |
Fairchild Semiconductor |
T-1 3/4 |
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红外发射源 T13-4 ALGAAS LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，辐射强度：100 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温... |
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QED122A3R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 infrared Lt Emitting Plastic |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 18，最大工作温度：+ 100 ... |
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QED123 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
26,994 |
红外发射源 80mW/sr 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 9，最大工作温度：+ 100 C... |
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QED123_Q |
Fairchild Semiconductor |
T-1 3/4 |
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红外发射源 80mW/sr 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：否，波长：890 nm，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- ... |
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QED123A4R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
4,800 |
红外发射源 infrared Lt Emitting Plastic |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 9，最大工作温度：+ 100 C... |
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QED123UL |
Fairchild Semiconductor |
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红外发射源 PlInf LiEmDiode UL217 |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，包装形式：Bulk，照明颜色：Infrared，安装风格：Throu... |
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QED221 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 T13-4 ALGAAS LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 20，最大工作温度：+ 100 ... |
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QED222 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 16mW/sr 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 20，最大工作温度：+ 100 ... |
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QED222_Q |
Fairchild Semiconductor |
T-1 3/4 |
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红外发射源 16mW/sr 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，辐射强度：32 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度... |
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QED223 |
Fairchild Semiconductor |
径向，5mm 直径（T 1 3/4） |
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红外发射源 25mW/sr 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 20，最大工作温度：+ 100 ... |
