| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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LED55B |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 10，最大工作温度：+ 125 ... |
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LED55B_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 65 C，封装形式：T... |
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LED55BF |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 3.5mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... |
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LED55BF_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 3.5mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，射束角：40 deg，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- ... |
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LED55C |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 3.5mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 10，最大工作温度：+ 125 ... |
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LED55CB |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 Gaas infr Emitting |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 10，最大工作温度：+ 125 ... |
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LED55CF |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... |
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LED55CF_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，射束角：40 deg，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- ... |
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LED55CFB |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 Gaas infr Emitting |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 10，最大工作温度：+ 125 ... |
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LED56 |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 1.5mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 10，最大工作温度：+ 125 ... |
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LED56F |
Fairchild Semiconductor |
TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
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红外发射源 1.5mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... |
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LED56F_Q |
Fairchild Semiconductor |
TO-46 |
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红外发射源 1.5mW 1.7V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 65 C，封装形式：T... |
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QTLP610CIRTR |
Fairchild Semiconductor |
2-SMD，无引线 |
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红外发射源 INFRARED EMITTER |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，辐射强度：4 mW/sr，最大工作温度：+ 85... |
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QEC112 |
Fairchild Semiconductor |
径向，3mm 直径（T-1） |
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红外发射源 LED.LOW BIN QEC113 |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 24，最大工作温度：+ 100 ... |
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QEC112_Q |
Fairchild Semiconductor |
T-1 |
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红外发射源 LED.LOW BIN QEC113 |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：否，波长：940 nm，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- ... |
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QEC113 |
Fairchild Semiconductor |
径向，3mm 直径（T-1） |
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红外发射源 0.07mW 1.5V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 8，最大工作温度：+ 100 C... |
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QEC113_Q |
Fairchild Semiconductor |
T-1 |
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红外发射源 0.07mW 1.5V IR LED |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：否，波长：940 nm，射束角：8 deg，最大工作温度：+ 100 C... |
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QEC113C6R0 |
Fairchild Semiconductor |
径向，3mm 直径（T-1） |
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红外发射源 Gaas infr Emitting |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 8，最大工作温度：+ 100 C... |
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QEC113C6R0_Q |
Fairchild Semiconductor |
T-1 |
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红外发射源 Gaas infr Emitting |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，射束角：8 deg，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 4... |
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QEC121 |
Fairchild Semiconductor |
径向，3mm 直径（T-1） |
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红外发射源 T1 A1GaAS LED 27mW |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... |
