| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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TISP61060P |
Bourns |
PDIP-8 |
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SCR |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，封装形式：PDIP-8，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C，工厂包装数量：50，... |
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TISP61060P-S |
Bourns |
PDIP-8 |
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SCR |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：PDIP-8，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- ... |
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TISP61089AD |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089ADR |
Bourns |
SOIC-8 |
29 |
SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：过渡期间，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 V... |
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TISP61089ADR-S |
Bourns |
8-SOIC |
2,500 |
SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089AD-S |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089AP |
Bourns |
PDIP-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089AP-S |
Bourns |
PDIP-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089ASD |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089ASDR |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089ASDR-S |
Bourns |
8-SOIC |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089ASD-S |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：120 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089BD |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... |
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TISP61089BDR |
Bourns |
8-SOIC |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... |
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TISP61089BDR-S |
Bourns |
8-SOIC |
26,709 |
SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... |
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TISP61089BDR-T |
Bourns |
8-SOIC |
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SCR PROTECTOR - PROGRAMMABLE SLIC PROTECT |
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| 参数：制造商：Bourns，... |
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TISP61089BD-S |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... |
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TISP61089BSDR-S |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR PROTECTOR - QUAD PROGRAMMABLE |
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| 参数：制造商：Bourns，最大转折电流 IBO：6.5 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 ... |
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TISP61089D |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089DR |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
