NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BTA2008-600E,412 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 9.9A 3-Pin SPT | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：0.8 A，不重复通态电流：9.9 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭... | ||||||
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BTA2008-800D,412 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 9.9A 3-Pin SPT | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：0.8 A，不重复通态电流：9.9 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭... | ||||||
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BTA2008-800E,412 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 9.9A 3-Pin SPT | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：0.8 A，不重复通态电流：9.9 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭... | ||||||
SOT223-1.jpg)
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BTA2008W-600D,135 | NXP Semiconductors | SC-73 | 11,324 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIACS | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：0.8 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ... | ||||||
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BTA201-600B,112 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 600V 1A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-600E | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-600E,112 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
,TO-226_straightlead.jpg)
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BTA201-600E,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 13.7A 3-Pin SPT | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：1 A，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状... | ||||||
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BTA201-800B | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-800B,112 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-800E | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-800E,112 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-800E,116 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 600 V 1 A TO92 | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：1 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA201-800E,412 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 13.7A 3-Pin SPT | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：1 A，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状... | ||||||
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BTA201-800ER | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-800ER AMO | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-800ER T/R | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-800ER,112 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-800ER,116 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 9,985 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA201-800ER,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 40 | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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