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【图】74HC244中文资料
(2024/2/4 18:00:00)
74HC244中文资料

74HC244中文资料



74HC244是专门设计的8 缓冲器及线驱动器,以改善三态存贮地址驱动器,时钟驱动器和总线定向收发器的性能和集成度。



Absolute Maximum Ratings绝对最大额定值:






























DC Supply Voltage, 直流供电电压 VCC




-0.5V to 7V




DC Input Diode Current, 直流输入二极管电流 IIK For VI < -0.5V or VI > VCC + 0.5V




±20mA




DC Output Diode Current, IOK For 直流输出二极管电流 VO < -0.5V or VO > VCC + 0.5V




±20mA




DC Drain Current, per Output,直流漏电流,每路输出,输入输出为 IO For -0.5V < VO < VCC + 0.5V




±35mA




DC Output Source or Sink Current per Output Pin, IO For VO > -0.5V or VO < VCC + 0.5V




±25mA




DC VCC or Ground Current, ICC




±70mA







真值表:


































输入




输出




输出控制




数据




G




A




Y




L




L




H




L




H




L




H




X




Z





74HC244引脚图









HC HCT 引脚图HC HCT 功能图





74HC244电气参数:










































Operating Conditions操作条件




Temperature Range (TA)温度范围




-55℃ to 125℃




Supply Voltage Range, 电源电压范围,虚拟通道连接 VCC




HC Types




2V to 6V




HCT Types




4.5V to 5.5V




DC Input or Output Voltage, VI, VO 输入或输出直流电压




0V to VCC




Input Rise and Fall Time 输入上升和下降时间




2V




1000ns (最大)




4.5V




500ns (最大)




6V




400ns (最大)







Thermal Information热特性:


































Thermal Resistance 热电阻(Typical, Note 1)




θJA




E (PDIP) 封装




69℃/W




M (SOIC) 封装




58℃/W




PW (TSSOP) 封装




83℃/W




Maximum Junction Temperature 最高结温




150℃




Maximum Storage Temperature Range 最大存储温度范围




-65℃ to 150℃




Maximum Lead Temperature 焊接最高温度(焊接10秒)(SOIC - Lead Tips Only)




300℃







DC Electrical Specifications直流电气规格:




































































































































































































































































Parameter 参数




Symbol 符号




TEST Conditions 测试条件







25℃




-40℃TO85℃




-55℃TO125℃




UNIT 单位




VI (V)




IO (mA)




VCC (V)




最小




典型




最大




最小




最大




最小




最大




High Level Input Voltage输入高电平电压




VIH




-




-




2




1.5




-




-




1.5




-




1.5




-




V




4.5




3.15




-




-




3.15




-




3.15




-




V




6




4.2




-




-




4.2




-




4.2




-




V




LOW Level Input Voltage 输入低电平电压




VIL




-




-




2




-




-




0.5




-




0.5




-




0.5




V




4.5




-




-




1.35




-




1.35




-




1.35




V




6




-




-




1.8




-




1.8




-




1.8




V




HIGH Level Output Voltage输出高电平电压 CMOS负载




VOH




VIH or VIL




-0.02




2




1.9




-




-




1.9




-




1.9




-




V




-0.02




4.5




4.4




-




-




4.4




-




4.4




-




V




-0.02




6




5.9




-




-




5.9




-




5.9




-




V




HIGH Level Output Voltage输出高电平电压 TTL负载




-6




4.5




3.98




-




-




3.84




-




3.7




-




V




-7.8




6




5.48




-




-




5.34




-




5.2




-




V




Low Level Output Voltage 输出低电平电压 CMOS负载




VOL




VIH or VIL




0.02




2




-




-




0.1




-




0.1




-




0.1




V




0.02




4.5




-




-




0.1




-




0.1




-




0.1




V




0.02




6




-




-




0.1




-




0.1




-




0.1




V




Low Level Output Voltage输出低电平电压 TTL负载




6




4.5




-




-




0.26




-




0.33




-




0.4




V




7.8




6




-




-




0.26




-




0.33




-




0.4




V




Input Leakage Current输入漏电流




II




VCC or GND




-




6




-




-




±0.1




-




±1




-




±1




μA




Quiescent Device Current静态电流




ICC




VCC or GND




0




6




-




-




8




-




80




-




160




μA







DC Electrical Specifications直流电气规格(续)










































































































































Parameter 参数




Symbol 符号




TEST Conditions 条件







25℃




-40℃ TO 85℃




-55℃ TO 125℃




UNIT 单位




VI (V)




IO (mA)




VCC (V)




最小




典型




最大




最小




最大




最小




最大




Three-State Leakage Current三态泄漏电流




IOZ




VIL or VIH




-




6




-




-




±0.5




-




±0.5




-




±10




μA




High Level Input Voltage输入高电平电压




VIH




-




-




4.5 to 5.5




2




-




-




2




-




2




-




V




LOW Level Input Voltage 输入低电平电压




VIL




-




-




4.5 to 5.5




-




-




0.8




-




0.8




-




0.8




V




HIGH Level Output Voltage输出高电平电压 CMOS 负载




VOH




VIH or VIL




-0.02




4.5




4.4




-




-




4.4




-




4.4




-




V




HIGH Level Output Voltage输出高电平电压 TTL负载




-6




4.5




3.98




-




-




3.84




-




3.7




-




V




Low Level Output Voltage 输出低电平电压 CMOS负载




VOL




VIH or VIL




0.02




4.5




-




-




0.1




-




0.1




-




0.1




V




Low Level Output Voltage 输出低电平电压TTL负载




6




4.5




-




-




0.26




-




0.33




-




0.4




V




Input Leakage Current输入漏电流




II




VCC to GND




0




5.5




-




-









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