| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| RoHS | 是 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 50 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.02 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-251 |
| 包装形式 | Tube |
| 下降时间 | 30 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 75 W |
| 上升时间 | 60 ns, 30 ns |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns, 45 ns |
ISL9N312AD3SD
ISL9N312AD3ST
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N312AP3
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N310AW1
MOSFET
ISL9N310AS3T
ISL9N310AS3ST
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
