制造商 | Fairchild Semiconductor |
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RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 35 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.015 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | Through Hole |
封装形式 | TO-251 |
包装形式 | Tube |
下降时间 | 38 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 70 W |
上升时间 | 49 ns, 34 ns |
工厂包装数量 | 75 |
典型关闭延迟时间 | 38 ns, 63 ns |
ISL9N310AD3ST
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N310AP3
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N310AS3
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
ISL9N30AS3ST
ISL9N308AS3ST
MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
ISL9N308AS3SD