购物车0种商品

ISL9N306AS3ST

品牌:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263AB
数量:
 更新中..  
描述:
 MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
点击QQ询价 留言询价 下单采购
0
  
ISL9N306AS3ST-TO-263AB封装图片

ISL9N306AS3ST参数资料

制造商Fairchild Semiconductor
RoHS
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压30 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流75 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0095 Ohms
配置Single
最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT
封装形式TO-263AB
包装形式Reel
下降时间30 ns, 29 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散125 W
上升时间70 ns, 43 ns
工厂包装数量800
典型关闭延迟时间34 ns, 62 ns

ISL9N306AS3ST相关型号

  • 暂无图片

    ISL9N306AW1

    MOSFET

  • 暂无图片

    ISL9N307AD3ST

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • ISL9N307AP3图片

    ISL9N307AP3

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • 暂无图片

    ISL9N306AS3SD

  • ISL9N306AP3图片

    ISL9N306AP3

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • 暂无图片

    ISL9N306AD3ST

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

元器件采购导航

电子元件 IC