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BLF6G22-180PN

品牌:
  NXP Semiconductors
封装:
 SOT502B
数量:
 更新中..  
描述:
 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
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BLF6G22-180PN参数资料

制造商NXP
产品种类射频MOSFET电源晶体管
RoHS
配置Dual Common Source
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压65 V
闸/源击穿电压13 V
最大工作温度+ 150 C
封装形式SOT502B
包装形式Tube
最小工作温度- 65 C
安装风格SMD/SMT
产品类型MOSFET Power
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.165 Ohms
工厂包装数量20
零件号别名BLF6G22-180PN,112

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