制造商 | NXP |
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产品种类 | 射频MOSFET电源晶体管 |
RoHS | 是 |
配置 | Dual Common Source |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 65 V |
闸/源击穿电压 | 13 V |
最大工作温度 | + 150 C |
封装形式 | SOT502B |
包装形式 | Tube |
最小工作温度 | - 65 C |
安装风格 | SMD/SMT |
产品类型 | MOSFET Power |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.165 Ohms |
工厂包装数量 | 20 |
零件号别名 | BLF6G22-180PN,112 |
BLF6G22-180PN,112
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G22-180RN,112
射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin
BLF6G22-45,112
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G22-180P
BLF6G21-10G,135
射频MOSFET电源晶体管 TransMOSFET N-CH 65V
BLF6G21-10G,112
射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS