| 制造商 | NXP |
|---|---|
| 产品种类 | 射频MOSFET电源晶体管 |
| RoHS | 是 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 闸/源击穿电压 | 13 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装形式 | SOT502B |
| 包装形式 | Tube |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品类型 | MOSFET Power |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.24 Ohms |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 零件号别名 | BLF6G22LS-75,112 |
BLF6G22LS-75,112
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G22LS-75,118
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G22S-45,112
射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS
BLF6G22LS-40P,118
射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR
BLF6G22LS-40P,112
射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR
BLF6G22LS-40BN,118
射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR 40W
