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IXTU1R4N60P

品牌:
  Ixys
封装:
 TO-251AA
数量:
 更新中..  
描述:
 MOSFET 1.4 Amps 600V 9.0 Ohms Rds
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IXTU1R4N60P-TO-251AA封装图片

IXTU1R4N60P参数资料

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制造商IXYS
RoHS
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压600 V
闸/源击穿电压+/- 30 V
漏极连续电流1.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)9 Ohms
配置Single
最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole
封装形式TO-251
包装形式Tube
下降时间16 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散50 W
上升时间16 ns
工厂包装数量75
典型关闭延迟时间25 ns

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