制造商 | IXYS |
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RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 0.2 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 30000 mOhms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | TO-251AA-3 |
包装形式 | Tube |
下降时间 | 4 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 1100 mW |
上升时间 | 4 ns |
工厂包装数量 | 75 |
典型关闭延迟时间 | 28 ns |
IXTU05N100
MOSFET 0.5 Amps 1000V
IXTU05N120
MOSFET N-CH 1200V 500MA TO251
IXTU06N120P
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO251
IXTU01N80
MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
IXTU01N100D
MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds
IXTU01N100
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds