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IXTU01N100D

品牌:
  Ixys
封装:
 TO-251AA
数量:
 更新中..  
描述:
 MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds
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IXTU01N100D-TO-251AA封装图片

IXTU01N100D参数资料

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制造商IXYS
RoHS
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压1000 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流0.1 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)80000 mOhms
配置Single
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装形式TO-251AA-3
包装形式Tube
下降时间6 ns
最小工作温度- 55 C
功率耗散1100 mW
上升时间6 ns
工厂包装数量75
典型关闭延迟时间30 ns

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