制造商 | IXYS |
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RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 1200 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 6 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 2.4 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | TO-268 |
包装形式 | Bulk |
下降时间 | 18 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 300 W |
上升时间 | 33 ns |
工厂包装数量 | 30 |
典型关闭延迟时间 | 42 ns |
IXTT6N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
IXTT72N20
MOSFET 72 Amps 200 V 0.033 W Rds
IXTT74N20P
MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds
IXTT69N30P
MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
IXTT68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
IXTT64N25P
MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds