| 制造商 | Diodes Inc. |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 12.3 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.012 Ohms |
| 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SO-8 |
| 包装形式 | Reel |
| 下降时间 | 55.6 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.8 W |
| 上升时间 | 9.9 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 103 ns |
ZXMP3F36N8TA
MOSFET 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
ZXMP3F37DN8TA
功率驱动器IC 30V Dual P-Channel 20V VGS -36A IDM
ZXMP3F37N8TA
功率驱动器IC 30V P-Channel MOSFET 20V VGS 039.5A IDM
ZXMP3F30FHTA
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ZXMP3A17E6TA
MOSFET 30V P-Chnl UMOS
ZXMP3A17E6
