制造商 | Diodes Inc. |
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产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 5.7 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.05 Ohms |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | SOIC-8 |
包装形式 | Reel |
下降时间 | 10.6 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2.8 W |
上升时间 | 4 ns |
工厂包装数量 | 500 |
典型关闭延迟时间 | 26.2 ns |
ZXMN7A11G
ZXMN7A11GQTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
ZXMN7A11GTA
MOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET
ZXMN6A25KTC
MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
ZXMN6A25K
MOSFET N-CHAN 60V DPAK
ZXMN6A25GTA
MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)