| 制造商 | Diodes Inc. |
|---|---|
| RoHS | 否 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极—基极电压 VCBO | 45 V |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 30 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 增益带宽产品fT | 350 MHz |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 40 at 10 uA at 5 V, 125 at 2 mA at 5 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装形式 | E-Line |
| 直流电流增益 hFE 最大值 | 40 at 10 uA at 5 V |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最小工作温度 | - 55 C |
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ZTX1147A
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