| 制造商 | Diodes Inc. |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | - 3.2 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.19 Ohms |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOIC-8 |
| 包装形式 | Reel |
| 下降时间 | 11.3 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.15 W |
| 上升时间 | 3.4 ns |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 典型关闭延迟时间 | 26.2 ns |
ZXMP6A17E6
ZXMP6A17E6QTA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
ZXMP6A17E6QTA-52
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R
ZXMP6A17DN8QTC
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
ZXMP6A17D
ZXMP6A16KTC
MOSFET P-Chan 60V MOSFET (UMOS)
