制造商 | Diodes Inc. |
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产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
晶体管极性 | P-Channel |
汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | - 2.3 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.595 Ohms |
配置 | Single Dual Drain |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | SOT-223 |
包装形式 | Reel |
下降时间 | 5.7 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 3.9 W |
上升时间 | 2.2 ns |
工厂包装数量 | 1000 |
典型关闭延迟时间 | 11.2 ns |
ZXMP6A13GTA-52
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
ZXMP6A16DN8QTA
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
ZXMP6A16DN8TA
MOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS
ZXMP6A13GQTA
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223
ZXMP6A13G
ZXMP6A13FTA-50
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R