制造商 | Diodes Inc. |
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产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | P-Channel |
汲极/源极击穿电压 | - 40 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 9.9 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.06 Ohms |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | DPAK |
包装形式 | Reel |
下降时间 | 17.1 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 9.5 W |
上升时间 | 6 ns |
工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 36.8 ns |
ZXMP4A57E6QTA
MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
ZXMP4A57E6TA
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K
ZXMP62P03E6
ZXMP4A16K
ZXMP4A16GTA
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
ZXMP4A16GQTC
MOSFET P-CH 40V SOT223