ZXMP3A16N8TA

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制造商	Diodes Inc.
产品种类	MOSFET
RoHS	过渡期间
晶体管极性	P-Channel
汲极/源极击穿电压	- 30 V
闸/源击穿电压	+/- 20 V
漏极连续电流	- 6.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.07 Ohms
配置	Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT
封装形式	SOIC-8
包装形式	Reel
下降时间	21.4 ns
最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2.8 W
上升时间	6.5 ns
工厂包装数量	500
典型关闭延迟时间	37.1 ns